विसाव्या शतकाच्या सुरूवातीस, क्रिस्टल वाढीच्या प्रक्रियेवर नियंत्रण ठेवण्यासाठी आधुनिक विज्ञान आणि तंत्रज्ञानाची तत्त्वे सतत वापरली गेली आणि क्रिस्टल वाढ कलापासून विज्ञानाकडे विकसित होऊ लागली.विशेषत: 1950 पासून, सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉनद्वारे प्रतिनिधित्व केलेल्या सेमीकंडक्टर सामग्रीच्या विकासामुळे क्रिस्टल ग्रोथ सिद्धांत आणि तंत्रज्ञानाच्या विकासास चालना मिळाली.अलिकडच्या वर्षांत, विविध प्रकारचे संयुग अर्धसंवाहक आणि इतर इलेक्ट्रॉनिक साहित्य, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक साहित्य, नॉनलाइनर ऑप्टिकल साहित्य, सुपरकंडक्टिंग साहित्य, फेरोइलेक्ट्रिक मटेरियल आणि मेटल सिंगल क्रिस्टल मटेरियलच्या विकासामुळे अनेक सैद्धांतिक समस्या निर्माण झाल्या आहेत.आणि क्रिस्टल ग्रोथ टेक्नॉलॉजीसाठी अधिकाधिक क्लिष्ट आवश्यकता समोर ठेवल्या जातात.क्रिस्टल ग्रोथचे तत्त्व आणि तंत्रज्ञानावरील संशोधन अधिकाधिक महत्त्वाचे बनले आहे आणि आधुनिक विज्ञान आणि तंत्रज्ञानाची एक महत्त्वाची शाखा बनली आहे.
सध्या, क्रिस्टल वाढीने हळूहळू वैज्ञानिक सिद्धांतांची मालिका तयार केली आहे, ज्याचा वापर क्रिस्टल वाढ प्रक्रियेवर नियंत्रण ठेवण्यासाठी केला जातो.तथापि, ही सैद्धांतिक प्रणाली अद्याप परिपूर्ण नाही आणि अद्याप अनुभवावर अवलंबून असलेली बरीच सामग्री आहे.म्हणून, कृत्रिम स्फटिकाची वाढ सामान्यतः कारागिरी आणि विज्ञान यांचे संयोजन मानले जाते.
संपूर्ण क्रिस्टल्स तयार करण्यासाठी खालील अटी आवश्यक आहेत:
1. प्रतिक्रिया प्रणालीचे तापमान एकसमान नियंत्रित केले पाहिजे.स्थानिक ओव्हर कूलिंग किंवा जास्त गरम होण्यापासून रोखण्यासाठी, ते क्रिस्टल्सच्या न्यूक्लिएशन आणि वाढीवर परिणाम करेल.
2. उत्स्फूर्त न्यूक्लिएशन टाळण्यासाठी क्रिस्टलायझेशन प्रक्रिया शक्य तितकी मंद असावी.कारण एकदा उत्स्फूर्त न्यूक्लिएशन झाले की, अनेक सूक्ष्म कण तयार होतील आणि क्रिस्टलच्या वाढीस अडथळा निर्माण होईल.
3. क्रिस्टल न्यूक्लिएशन आणि वाढीचा दर शीतकरण दर जुळवा.क्रिस्टल्स एकसमान वाढतात, क्रिस्टल्समध्ये एकाग्रता ग्रेडियंट नसते आणि रचना रासायनिक आनुपातिकतेपासून विचलित होत नाही.
क्रिस्टल वाढीच्या पद्धतींचे त्यांच्या मूळ टप्प्याच्या प्रकारानुसार चार श्रेणींमध्ये वर्गीकरण केले जाऊ शकते, म्हणजे वितळणे वाढ, द्रावण वाढ, बाष्प अवस्था वाढ आणि घन टप्प्याची वाढ.या चार प्रकारच्या क्रिस्टल ग्रोथ पद्धती नियंत्रण स्थितीतील बदलांसह डझनभर क्रिस्टल वाढीच्या तंत्रांमध्ये विकसित झाल्या आहेत.
सर्वसाधारणपणे, क्रिस्टलच्या वाढीची संपूर्ण प्रक्रिया विघटित झाल्यास, त्यात किमान खालील मूलभूत प्रक्रियांचा समावेश असावा: द्रावणाचे विघटन, क्रिस्टल ग्रोथ युनिटची निर्मिती, वाढीच्या माध्यमात क्रिस्टल ग्रोथ युनिटची वाहतूक, क्रिस्टल वाढीची हालचाल आणि संयोजन. क्रिस्टल पृष्ठभागावरील घटक आणि क्रिस्टल ग्रोथ इंटरफेसचे संक्रमण, जेणेकरून क्रिस्टल वाढ लक्षात येईल.
पोस्ट वेळ: डिसेंबर-०७-२०२२