Nd:YVO4 – डायोड पंप केलेले सॉलिड-स्टेट लेसर
उत्पादन वर्णन
Nd:YVO4 Nd:YVO4 आणि वारंवारता दुप्पट क्रिस्टल्सच्या डिझाइनसह शक्तिशाली आणि स्थिर IR, हिरवा, निळा लेसर तयार करू शकतो.ज्या ऍप्लिकेशन्समध्ये अधिक कॉम्पॅक्ट डिझाइन आणि एकल-रेखांशाचा-मोड आउटपुट आवश्यक आहे, Nd:YVO4 इतर सामान्यतः वापरल्या जाणार्या लेसर क्रिस्टल्सपेक्षा त्याचे विशिष्ट फायदे दर्शविते.
Nd चे फायदे:YVO4
● कमी लेसिंग थ्रेशोल्ड आणि उच्च उतार कार्यक्षमता
● लेसिंग तरंगलांबीवर मोठा उत्तेजित उत्सर्जन क्रॉस-सेक्शन
● विस्तृत पंपिंग तरंगलांबी बँडविड्थवर उच्च शोषण
● ऑप्टिकली एकअक्षीय आणि मोठ्या birefringence ध्रुवीकृत लेसर उत्सर्जित करते
● पंपिंग तरंगलांबीवर कमी अवलंबित्व आणि सिंगल मोड आउटपुटकडे कल
मूळ गुणधर्म
| अणु घनता | ~1.37x1020 अणू/cm2 |
| क्रिस्टल स्ट्रक्चर | झिरकॉन टेट्रागोनल, स्पेस ग्रुप D4h, a=b=7.118, c=6.293 |
| घनता | 4.22 g/cm2 |
| मोहस कडकपणा | काचेसारखे, 4.6 ~ 5 |
| थर्मल विस्तार गुणांक | αa=4.43x10-6/K, αc=11.37x10-6/K |
| द्रवणांक | 1810 ± 25℃ |
| Lasing तरंगलांबी | 914nm, 1064 nm, 1342 nm |
| थर्मल ऑप्टिकल गुणांक | dna/dT=8.5x10-6/K, dnc/dT=3.0x10-6/K |
| उत्तेजित उत्सर्जन क्रॉस-सेक्शन | 25.0x10-19 cm2 , @1064 nm |
| फ्लोरोसेंट आयुष्यभर | 90 ms (2 atm% Nd doped साठी सुमारे 50 ms) @ 808 एनएम |
| शोषण गुणांक | 31.4 सेमी-1 @ 808 एनएम |
| शोषण लांबी | 0.32 मिमी @ 808 एनएम |
| आंतरिक नुकसान | कमी 0.1% cm-1 , @1064 nm |
| बँडविड्थ मिळवा | 0.96 nm (257 GHz) @ 1064 nm |
| ध्रुवीकृत लेसर उत्सर्जन | ऑप्टिक अक्षाच्या समांतर (सी-अक्ष) |
| डायोड पंप ऑप्टिकल ते ऑप्टिकल कार्यक्षमता | > ६०% |
| Sellmeier समीकरण (शुद्ध YVO4 क्रिस्टल्ससाठी) | no2(λ) =3.77834+0.069736/(λ2 - 0.04724) - 0.0108133λ2 |
| no2(λ) =4.59905+0.110534/(λ2 - 0.04813) - 0.0122676λ2 |
तांत्रिक मापदंड
| एनडी डोपंट एकाग्रता | 0.2 ~ 3 atm% |
| डोपंट सहिष्णुता | एकाग्रतेच्या 10% च्या आत |
| लांबी | 0.02 ~ 20 मिमी |
| कोटिंग तपशील | AR @ 1064nm, R< 0.1% आणि HT @ 808nm, T>95% |
| HR @ 1064nm, R>99.8% आणि HT@ 808nm, T>9% | |
| HR @ 1064nm, R>99.8%, HR @ 532 nm, R>99% आणि HT @ 808 nm, T>95% | |
| अभिमुखता | एक-कट क्रिस्टलीय दिशा (+/-5℃) |
| मितीय सहिष्णुता | +/-0.1 मिमी (नमुनेदार), उच्च सुस्पष्टता +/-0.005 मिमी विनंतीनुसार उपलब्ध असू शकते. |
| वेव्हफ्रंट विरूपण | 633nm वर <λ/8 |
| पृष्ठभाग गुणवत्ता | 20/10 स्क्रॅच/डिग प्रति MIL-O-1380A पेक्षा चांगले |
| समांतरता | < 10 आर्क सेकंद |
तुमचा संदेश इथे लिहा आणि आम्हाला पाठवा
