AgGaSe2 क्रिस्टल्स — ०.७३ आणि १८ µm वर बँड एज
उत्पादनाचे वर्णन
२.०५ µm वर Ho:YLF लेसरद्वारे पंपिंग करताना २.५–१२ µm आत ट्यूनिंग प्राप्त झाले आहे; तसेच १.४–१.५५ µm वर पंपिंग करताना १.९–५.५ µm आत नॉन-क्रिटिकल फेज मॅचिंग (NCPM) ऑपरेशन प्राप्त झाले आहे. इन्फ्रारेड CO2 लेसर रेडिएशनसाठी AgGaSe2 (AgGaSe) हे एक कार्यक्षम वारंवारता दुप्पट करणारे क्रिस्टल असल्याचे सिद्ध झाले आहे.
फेमटोसेकंद आणि पिकोसेकंद पद्धतीमध्ये व्यावसायिकरित्या उपलब्ध असलेल्या सिंक्रोनसली-पंप केलेल्या ऑप्टिकल पॅरामेट्रिक ऑसिलेटर (SPOPOs) सोबत काम करून, AgGaSe2 क्रिस्टल्स मध्य-IR प्रदेशात नॉनलाइनर पॅरामेट्रिक डाउनकन्व्हर्जन (फरक फ्रिक्वेन्सी जनरेशन, DGF) मध्ये प्रभावी असल्याचे दिसून आले आहे. मध्य-IR नॉनलाइनर AgGaSe2 क्रिस्टलमध्ये व्यावसायिकरित्या उपलब्ध असलेल्या क्रिस्टल्समध्ये गुणवत्तेचे सर्वात मोठे आकडे (70 pm2/V2) आहेत, जे AGS समतुल्य पेक्षा सहा पट जास्त आहे. AgGaSe2 अनेक विशिष्ट कारणांमुळे इतर मध्य-IR क्रिस्टल्सपेक्षा देखील श्रेयस्कर आहे. उदाहरणार्थ, AgGaSe2 मध्ये कमी स्थानिक वॉक-ऑफ आहे आणि विशिष्ट अनुप्रयोगांसाठी (उदाहरणार्थ, वाढ आणि कट दिशा) उपचार करण्यासाठी कमी सहज उपलब्ध आहे, जरी त्यात मोठे नॉनलाइनरिटी आणि समतुल्य पारदर्शकता क्षेत्र आहे.
अर्ज
● CO आणि CO2 वर दुसऱ्या पिढीचे हार्मोनिक्स - लेसर
● ऑप्टिकल पॅरामीट्रिक ऑसिलेटर
● १७ एमकेएम पर्यंतच्या मध्यम इन्फ्रारेड प्रदेशांसाठी वेगवेगळे फ्रिक्वेन्सी जनरेटर.
● मध्यम आयआर प्रदेशात वारंवारता मिश्रण
मूलभूत गुणधर्म
क्रिस्टल रचना | चतुर्भुज |
सेल पॅरामीटर्स | a=५.९९२ Å, c=१०.८८६ Å |
द्रवणांक | ८५१ °से |
घनता | ५.७०० ग्रॅम/सेमी३ |
मोहस कडकपणा | ३-३.५ |
शोषण गुणांक | <0.05 सेमी-1 @ १.०६४ मायक्रॉन <0.02 सेमी-1 @ १०.६ मायक्रॉन |
सापेक्ष डायलेक्ट्रिक स्थिरांक @ २५ मेगाहर्ट्झ | ε११से = १०.५ ε११t=१२.० |
औष्णिक विस्तार गुणांक | || सेल्सिअस: -८.१ x १०-६ /° सेल्सिअस ⊥C: +१९.८ x १०-६ /°C |
औष्णिक चालकता | १.० प/मीटर/°से. |