AgGaS2 - नॉनलाइनर ऑप्टिकल इन्फ्रारेड क्रिस्टल्स
उत्पादन वर्णन
पातळ AgGaS2 (AGS) क्रिस्टल प्लेट्स NIR तरंगलांबीच्या डाळींचा वापर करून मध्य IR श्रेणीतील फरक वारंवारता निर्मितीसाठी अल्ट्राशॉर्ट पल्स निर्मितीसाठी लोकप्रिय आहेत.
अर्ज
● CO आणि CO2 वर जनरेशन सेकंड हार्मोनिक्स - लेसर
● ऑप्टिकल पॅरामेट्रिक ऑसिलेटर
● 12 mkm पर्यंत मध्यम इन्फ्रारेड क्षेत्रांसाठी भिन्न वारंवारता जनरेटर.
● मध्यम IR प्रदेशात 4.0 ते 18.3 µm पर्यंत वारंवारता मिसळणे
● ट्यून करण्यायोग्य सॉलिड स्टेट लेसर (Nd:YAG द्वारे पंप केलेले OPO आणि 0.1 ते 10% कार्यक्षमतेसह 1200 ते 10000 nm क्षेत्रामध्ये कार्यरत इतर लेसर)
● समस्थानिक बिंदूजवळील प्रदेशात ऑप्टिकल अरुंद-बँड फिल्टर (300 °K वर 0.4974 मीटर), तापमानातील फरकानुसार ट्रान्समिशन बँड ट्यून केला जात आहे
● 30% पर्यंत कार्यक्षमतेसह Nd:YAG, रुबी किंवा डाई लेसरचा वापर करून/ किंवा वापरून CO2 लेसर रेडिएशन इमेजचे जवळ-IR किंवा दृश्यमान प्रदेशात अप-रूपांतरण
वैशिष्ट्ये
● 0.25-5.0 मिमी मध्ये प्रसारण, 2-3 मिमी मध्ये शोषण नाही
● उच्च थर्मल चालकता
● अपवर्तन आणि नॉन-बायरफ्रिंगन्सचा उच्च निर्देशांक
मूळ गुणधर्म
| क्रिस्टल स्ट्रक्चर | चौकोनी |
| सेल पॅरामीटर्स | a=5.992 Å, c=10.886 Å |
| द्रवणांक | ८५१ °से |
| घनता | ५.७०० ग्रॅम/सेमी ३ |
| मोहस कडकपणा | 3-3.5 |
| शोषण गुणांक | <0.05 सेमी-1 @ 1.064 µm <0.02 सेमी-1 @ 10.6 µm |
| सापेक्ष डायलेक्ट्रिक कॉन्स्टंट @ 25 MHz | ε11s=10.5 ε11t=12.0 |
| थर्मल विस्तार गुणांक | ||C: -8.1 x 10-6 /°C ⊥C: +19.8 x 10-6 /°C |
| औष्मिक प्रवाहकता | 1.0 W/M/°C |
रेखीय ऑप्टिकल गुणधर्म
| पारदर्शकता श्रेणी | 0.50-13.2 उम | |
| अपवर्तक निर्देशांक | no | ne |
| @ १.०६४ उम | २.४५२१ | 2.3990 |
| @ 5.300 उम | २.३९४५ | २.३४०८ |
| @ 10.60um | २.३४७२ | २.२९३४ |
| थर्मो-ऑप्टिक गुणांक | dno/dt=15.4 x 10-5/°C dne/dt=15.5 x 10-5/°C | |
| सेलमीयर समीकरणे (ʎ इन उम) | no2=3.3970+2.3982/(1-0.09311/ʎ2) +2.1640/(1-950/ʎ2) ne2=3.5873+1.9533/(1-0.11066/ʎ2) +2.3391/(1-1030.7/ʎ2) | |
नॉनलाइनर ऑप्टिकल गुणधर्म
| टप्पा-मॅचिंग SHG श्रेणी | 1.8-11.2 उम |
| NLO गुणांक @ 1.064 um | d36=d24=d15=23.6 pm/V |
| रेखीय इलेक्ट्रो-ऑप्टिक गुणांक | Y41T=4.0 pm/V Y63T=3.0 pm/V |
| नुकसान थ्रेशोल्ड @ ~ 10 ns, 1.064 um | 25 MW/cm2(पृष्ठभाग), 500 MW/cm2(बल्क) |
मूलभूत पॅरामीटर्स
| वेव्हफ्रंट विरूपण | λ/6 @ 633 nm पेक्षा कमी |
| परिमाण सहिष्णुता | (W +/-0.1 मिमी) x (H +/-0.1 मिमी) x (L +0.2 मिमी/-0.1 मिमी) |
| छिद्र साफ करा | > 90% मध्यवर्ती क्षेत्र |
| सपाटपणा | T>=1.0mm साठी λ/6 @ 633 nm |
| पृष्ठभाग गुणवत्ता | स्क्रॅच/खणणे 20/10 प्रति MIL-O-13830A |
| समांतरता | 1 आर्क मि पेक्षा चांगले |
| लंबरता | 5 चाप मिनिटे |
| कोन सहिष्णुता | Δθ < +/-0.25o, Δφ < +/-0.25o |
